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中心频率:3000MHz
1dB 带宽 (BW):≥15MHz
插入损耗 (@f0±7.5MHz):1.3dB(典型值)
电压驻波比 (VSWR) (f0±7.5MHz):1.5(典型值)
XTALSF-1010-3000M-1.3-A1 是一款基于先进FBAR技术的3GHz带通滤波器芯片。该产品专为高集成度射频前端模块设计,尺寸仅为1.0x1.0mm,在确保信号高保真传输的同时,提供了极佳的频率选择性,适用于5G、卫星通信及微波射频应用。
先进FBAR技术:采用薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,相比传统SAW具有更高的Q值和更佳的高频性能。
极小尺寸:微型化设计(1025μm x 1025μm),极大地节省了电路板空间。
超低插损:在3000MHz中心频率下,典型插入损耗仅为1.3dB,有效减少信号衰减。
优异的抑制能力:在特定频段(f0±80MHz)提供高达40dBc以上的抑制,确保信号纯净度。
工业级宽温性能:工作温度范围涵盖-55℃至+85℃,适用于严苛的环境条件。
裸芯片形式 (Die):便于集成到多芯片模块(MCM)或系统级封装(SiP)中。
环保合规:符合RoHS环保标准。
5G通信终端与基站:用于射频前端的信号过滤与频段选择。
微波射频模块:由于其裸芯片形态,非常适合高度集成的射频前端模块(FEM)。
卫星通信与导航:在S波段频率下进行高精度的信号处理。
航空航天与国防:利用其宽温工作特性,用于雷达系统或保密通信。
测试与测量设备:高性能微波测试仪器中的频率筛选。
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
中心频点 | \ | 3000 | \ | MHz | |
ldB 带宽 (BW) | 15 | \ | \ | MHz | |
插入损耗(@f0±7.5MHz) | \ | 1.3 | 2.0 | dB | |
VSWR(f0±7.5MHz) | \ | 1.5 | 2.0 | \ | |
回波损耗(f0±7.5MHz) | 10 | 14 | \ | dB | |
群时延纹波 (f0±7.5MHz) | \ | \ | 10 | ns | |
衰减 | @f0±80MHz | 40 | 47 | \ | dBc |
DC~f0-100MHz | 40 | 44 | \ | dBc | |
F0+100MHz~5500MHz | 40 | 45 | \ | dBc | |



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